メインパラメータには多くの種類がありますMOSFETこれには、DC 電流、AC 電流パラメータ、制限パラメータが含まれていますが、一般的なアプリケーションでは次の基本パラメータのみを考慮する必要があります: 漏れソース電流の飽和状態 IDSS ピンチオフ電圧 Up、相互コンダクタンス gm、漏れソース降伏電圧 BUDS、出力電力 PDSM の損失が大きくなり、ソース漏れ電流 IDSM が大きくなります。
1.飽和漏れ電流
飽和ドレイン・ソース間電流 IDSS とは、接合型またはデプリーション型絶縁層ゲート MOSFET のゲート電圧 UGS = 0 におけるドレイン・ソース間電流を指します。
2. クリップオフ電圧
ピンチオフ電圧UPとは、接合型または空乏型絶縁層ゲートにおけるゲート電圧動作電圧を意味します。MOSFETそれはドレインソースを遮断するだけです。 IDSS と UP が実際に何を意味するのかを理解してください。
3、電圧をオンにします
ターンオン電圧 UT は、強化絶縁ゲート MOSFET のドレイン-ソース相互接続がちょうどオンになるゲート電圧の動作電圧を意味します。 UT が実際に何を意味するのかを理解してください。
4.相互指導
トランスガイド gm は、ドレイン電流を制御するゲート ソース電圧の能力、つまりドレイン電流の変化とゲート ソース電圧の変化の比率を示すために使用されます。
5、出力電力の最大損失r
最大損失出力電力も制限パラメータに属し、これは、MOSFET正常であり、影響を受けません。 MOSFET を使用する場合、その機能損失は PDSM よりも低く、一定の値でなければなりません。
6、最大漏れソース電流
最大ドレイン・ソース間電流 IDSM も制限パラメータです。これは、通常動作中に MOSFET のドレインとソース間を流れることができる最大電流を意味し、MOSFET の動作中に超えてはなりません。
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投稿日時: 2024 年 7 月 7 日
