絶縁層ゲート MOSFET の認識

絶縁層ゲート型MOSFETの別名MOSFET (以下、MOSFET と呼びます) は、ゲート電圧とソース ドレインの中間に二酸化シリコンのケーブル シースを備えています。

MOSFETもNチャンネル と P チャネルの 2 つのカテゴリがありますが、各カテゴリは強化タイプ 2 と光枯渇タイプ 2 に分かれており、合計 4 つのタイプがあります。Nチャンネルエンハンスメント、Pチャネルエンハンスメント、Nチャネル光ディプレーション、Pチャネル光ディプレーションタイプ。しかし、ゲート・ソース電圧がゼロの場合、パイプのドレイン電流もゼロになります。ただし、ゲート・ソース電圧がゼロ、ドレイン電流がゼロでない場合は、光消費型真空管として分類されます。
強化された MOSFET 原理:

ゲート・ソースの中央で電圧を使用しない場合、ドレイン・ソースの中央のPN接合は逆方向になるため、ドレイン・ソースの中央に電圧がかかっていたとしても、導電チャネルは存在しません。導電性トレンチの電気が閉じられると、動作電流を流すことができなくなります。ゲート・ソースの中央に正方向の電圧を加えた特定の値になると、ドレイン・ソースの中央に導電性の安全チャネルが生成されます。このため、このゲート・ソース電圧によって生成されたばかりの導電性トレンチはオープン電圧 VGS と呼ばれます。ゲート・ソース電圧の中間値が大きくなると、導電性トレンチの幅が広くなり、より多くの電気が流れるようになります。

光散逸MOSFETの原理:

動作時、エンハンスメント型MOSFETとは異なり、ゲート・ソースの中間には電圧が使用されず、ドレイン・ソースの中間には導電チャネルが存在するため、ドレイン・ソースの中間には正の電圧のみが追加されます。ドレイン電流が流れます。さらに、ゲート・ソースの中央に電圧の正の方向があり、導電チャネルが拡大し、電圧の反対方向を追加すると、導電チャネルが縮小し、電気の流れが小さくなり、MOSFETの比較が強化され、導電性チャネル内の特定の数の領域の正および負の数になることもあります。

MOSFETの有効性:

まず、MOSFETを使用して大型化します。 MOSFETアンプの入力抵抗は非常に高いため、電解コンデンサを適用する必要がなく、フィルタコンデンサを小さくできます。

第 2 に、MOSFET の入力抵抗が非常に高いため、特性インピーダンスの変換に特に適しています。特性インピーダンス変換のためにマルチレベルアンプの入力段で一般的に使用されます。

MOSFETは調整可能な抵抗として使用できます。

第 4 に、MOSFET は DC 電源として便利です。

V. スイッチング素子としてMOSFETを使用できます。