MOSFET は、集積回路内の絶縁 MOSFET です。MOSFET は、集積回路の最も基本的なデバイスの 1 つです。半導体 のドレインとソースは、IC 設計だけでなくボードレベルの回路でも広く使用されています。MOSFET これらは交換可能であり、N 型領域を備えた P 型バックゲートに形成されます。一般に、2 つのソースは交換可能であり、どちらも内部に N 型領域を形成します。P型バックゲート。一般に、これら 2 つのゾーンは同じであり、これら 2 つのセクションを切り替えても、デバイスのパフォーマンスには影響しません。したがって、デバイスは対称であると考えられます。
原理：
MOSFETは、VGSを使用して「誘導電荷」の量を制御し、これらの「誘導電荷」によって形成される導電チャネルの状態を変更してドレイン電流を制御します。 MOSFET が製造されるとき、特別なプロセスを通じて絶縁層中に多数の正イオンが現れるため、界面の反対側でより多くの負電荷が感知され、高透過性不純物の N 領域が接続されます。これらの負電荷が減少し、導電チャネルが形成され、VGS が 0 であっても比較的大きなドレイン電流 ID が発生します。ゲート電圧が変化すると、チャネルに誘導される電荷量も変化し、チャネル幅が変化します。導電チャネルの変化も同程度に変化します。ゲート電圧が変化すると、チャネルに誘導される電荷の量も変化し、導電チャネルの幅も変化するため、ドレイン電流 ID はゲート電圧とともに変化します。
役割：
1. 増幅回路に応用可能です。 MOSFETアンプの入力インピーダンスが高いため、カップリングの静電容量を小さくすることができ、電解コンデンサを使用できません。
入力インピーダンスが高いため、インピーダンス変換に適しています。多段アンプの入力段のインピーダンス変換によく使用されます。
3、可変抵抗器として使用できます。
4、電子スイッチとして使用できます。
MOSFETは現在、テレビの高周波ヘッドやスイッチング電源など幅広い用途に使用されています。現在では、通常のバイポーラトランジスタとMOSを複合させたIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）が大電力分野で広く使われており、MOS集積回路は低消費電力という特徴を持ち、現在ではCPUなどに広く使われています。 MOS回路。
投稿日時: 2024 年 7 月 19 日
