パッケージ化された MOSFET の 3 つのピン G、S、D は何を意味しますか?

ジャッジメントゲートG

MOS ドライバーは主に波形整形と駆動強化の役割を果たします。MOSFET勾配が十分に急でない場合、スイッチング段階で大量の電力損失が発生します。その副作用として、回路の変換効率が低下します。MOSFET は発熱が激しく、熱により損傷を受けやすくなります。MOSFETGS 間には一定の静電容量があります。、G 信号の駆動能力が不十分な場合、波形ジャンプ時間に重大な影響を与えます。

GS極を短絡し、マルチメータのR×1レベルを選択し、黒のテストリードをS極に、赤のテストリードをD極に接続します。抵抗は数 Ω ～ 10 Ω 以上にする必要があります。あるピンとその2本のピンの抵抗が無限大で、テストリードを交換しても抵抗値が無限大であることが判明した場合、そのピンは他の2本のピンから絶縁されているため、G極であることが確認されます。

ソース S とドレイン D を決定する

マルチメータを R×1k に設定し、3 つのピン間の抵抗をそれぞれ測定します。テストリード交換方式で抵抗値を2回測定します。抵抗値が低い方（一般に数千Ωから1万Ω以上）が順方向抵抗です。このとき、黒のテストリードがS極、赤のテストリードがD極に接続されます。テスト条件が異なるため、測定された RDS(on) 値はマニュアルに記載されている標準値よりも高くなります。

についてMOSFET

トランジスタはN型チャネルを持つため、Nチャネルと呼ばれます。MOSFET、 またはNMOS。P チャネル MOS (PMOS) FET も存在します。これは、低濃度にドープされた N 型バックゲートと P 型ソースおよびドレインで構成される PMOSFET です。

N型MOSFETでもP型MOSFETでも動作原理は基本的に同じです。MOSFETは、入力端子のゲートに印加される電圧によって出力端子のドレインの電流を制御します。MOSFET は電圧制御されるデバイスです。ゲートに印加される電圧を通じてデバイスの特性を制御します。トランジスタをスイッチングに使用する場合、ベース電流による電荷蓄積効果が発生しません。したがって、アプリケーションを切り替える場合、MOSFETトランジスタよりも速くスイッチングする必要があります。

FET は、その入力 (ゲートと呼ばれる) が絶縁層に電界を投射することによって、トランジスタを流れる電流に影響を与えるという事実からもその名前が付けられています。実際、この絶縁体には電流が流れないため、FET 管の GATE 電流は非常に小さくなります。

最も一般的な FET は、ゲートの下の絶縁体として二酸化シリコンの薄層を使用します。

このタイプのトランジスタは、金属酸化物半導体 (MOS) トランジスタ、または金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) と呼ばれます。MOSFET は小型で電力効率が高いため、多くのアプリケーションでバイポーラ トランジスタに取って代わりました。