高出力 MOSFET については、このテーマについて熱心に議論するエンジニアの 1 人であるため、私たちはこのテーマに関する共通の知識と一般的ではない知識を整理しました。MOSFET, エンジニアのお役に立てればと思っています。非常に重要なコンポーネントである MOSFET について話しましょう。
静電気防止保護
ハイパワーMOSFETは絶縁ゲート型電界効果管であり、ゲートは直流回路ではなく、入力インピーダンスが非常に高く、静電荷の凝集が非常に起こりやすく、ゲートとソース間に高電圧が発生します。ブレークダウン間の絶縁層。
MOSFET の初期生産品のほとんどには静電気対策が施されていないため、特に小型のパワー MOSFET では、保管および使用の際には十分注意してください。これは、小型のパワー MOSFET は入力容量が比較的小さいため、静電気にさらされると静電気が発生するためです。電圧が高く、静電気破壊が起こりやすい。
最近のハイパワーMOSFETの強化は比較的大きな違いであり、まず第一に、入力容量が大きくなり、静電気との接触により帯電プロセスが発生し、その結果電圧が小さくなり、故障の原因となるためです。小型化の可能性、そして再び、保護されたレギュレータ DZ のゲートとソースの内部ゲートとソースに高出力 MOSFET が組み込まれ、レギュレータの保護に埋め込まれた静電気のダイオード電圧レギュレータの値は、実質的に以下になります。絶縁層のゲートとソースを保護し、異なる電力、異なるモデルの MOSFET 保護レギュレータ、ダイオード電圧レギュレータ値が異なります。
高出力 MOSFET は内部保護手段を備えていますが、有資格の保守スタッフが持つべき静電気防止操作手順に従って操作する必要があります。
検出と置換
テレビや電気機器の修理では、さまざまな部品の損傷に遭遇します。MOSFETこれは、当社の保守スタッフが一般的に使用されるマルチメータを使用して、MOSFET の良否、良否を判断する方法です。 MOSFETの交換において、同じメーカー、同じ機種がない場合の交換方法。
1、高出力MOSFETテスト:
一般的な電気テレビの修理担当者として、水晶トランジスタまたはダイオードの測定では、通常、通常のマルチメータを使用してトランジスタまたはダイオードの良否を判断しますが、トランジスタまたはダイオードの電気的パラメータの判断を確認することはできませんが、この方法は、水晶トランジスタの「良好」と「不良」、または水晶トランジスタの確認の「不良」の確認には正しいです。 「悪い」または問題なし。同様に、MOSFET も
マルチメータを適用して、一般的なメンテナンスから「良否」を判断することもニーズを満たすことができます。
検出にはポインタ型マルチメータを使用する必要があります（デジタルメータは半導体デバイスの測定には適していません）。パワー型MOSFETスイッチング管はNチャンネル強化されており、各メーカーの製品はほぼ全て同じTO-220Fパッケージ形式を採用しています（電界効果スイッチング管の50～200W出力用のスイッチング電源を指します） 、3 つの電極の配置も一貫しています。
ピンを下げ、モデルを自分自身に向けて印刷し、左側のピンがゲート、右側のテスト ピンがソース、中央のピンがドレインになります。
(1) マルチメーターと関連準備:
まず第一に、測定の前に、オームブロックがクリスタルトランジスタを測定するためのオームブロックの正しい適用であることを理解するために、特にオームギアのアプリケーションを使用できるようにする必要があります。MOSFET.
マルチメータのオームブロックのオームセンタースケールは大きすぎてはならず、できれば12Ω未満（12Ωの500タイプテーブル）にすることで、順方向のPN接合の場合、R×1ブロックでより大きな電流を流すことができます。判定の特性がより正確になります。マルチメータ R × 10K ブロックの内部バッテリーは 9V 以上であることが最適です。これにより、PN 接合の逆漏れ電流の測定がより正確になります。そうでないと漏れ電流を測定できません。
現在、生産プロセスの進歩により、工場での検査、テストは非常に厳しくなっており、通常、MOSFETの判定は、漏れがないこと、短絡、内部非回路を突破していないことを判断することができます。途中で増幅されますが、方法は非常に簡単です。
マルチメーター R × 10K ブロックを使用します。 R × 10K ブロックの内部バッテリーは通常 9V プラス 1.5V から 10.5V です。この電圧は通常、PN 接合の反転漏れが十分であると判断されます。マルチメーターの赤いペンは負の電位 (内部バッテリーのマイナス端子に接続されています)、マルチメーターの黒いペンはプラスの電位です (内部バッテリーのプラス端子に接続されています)。
(2) 試験手順：
赤いペンを MOSFET S のソースに接続します。黒いペンを MOSFET D のドレインに接続します。このとき、針の指示は無限大になっているはずです。試験中のチューブに漏れ現象があることを示すオーミックインデックスがある場合、このチューブは使用できません。
上記の状態を維持します。このとき、ゲートとドレインには100K～200Kの抵抗が接続されています。このとき、針はオーム数を示す必要があります。小さいほど良いですが、一般的には0オームまで示すことができます。今回は、MOSFETゲートの100K抵抗を介して正電荷が充電され、ゲート電界が発生します。導電性チャネルによって生成される電界によりドレインとソースが導通するため、マルチメータの針の振れ、振れ角が大きく（オーム指数が小さい）、放電性能が良好であることがわかります。
その後、抵抗器に接続して取り外しても、マルチメータのポインタはインデックス上の MOSFET のままである必要があり、変更されません。抵抗は取り除かれますが、ゲートにチャージされた抵抗は消滅しないため、ゲート電界は内部の導電チャネルを維持し続けます、これが絶縁ゲート型MOSFETの特性です。
抵抗器が針を離すと、ゆっくりと徐々に高抵抗に戻るか、あるいは無限大に戻る場合は、測定されたチューブゲートの漏れを考慮してください。
このとき、テスト対象のチューブのゲートとソースにワイヤーが接続されているため、マルチメーターのポインターはすぐに無限遠に戻りました。測定されたMOSFETがゲート電荷を解放し、内部電界が消えるようにワイヤを接続します。導電チャネルも消失するため、ドレインとソース間の抵抗は無限大になります。
2、高出力MOSFETの置き換え
テレビやあらゆる種類の電気機器の修理では、部品が損傷した場合は、同じ種類の部品と交換する必要があります。ただし、同じコンポーネントが手元にない場合があり、他のタイプの代替品を使用する必要があるため、ライン出力管内のテレビなど、性能、パラメータ、寸法などのあらゆる側面を考慮する必要があります。電圧、電流、電力を考慮すれば、一般的に交換可能（ライン出力管は外観寸法がほぼ同じ）であり、電力はより大きく、より優れたものになる傾向があります。
MOSFETの置き換えについては、これも原則ですが、特にパワーが大きいのでパワーを追求するのではなく、最適なものを試作するのが最善です。入力容量が大きく変更され、励起回路が灌漑回路の充電電流制限抵抗の励起と一致しない場合、MOSFET の抵抗値と入力容量の大きさは、大きな電力の選択に関係します。容量は大きいですが、入力容量も大きく、入力容量も大きく、電力は大きくありません。
入力容量も大きく、励起回路が良好ではないため、MOSFET のオン/オフ性能が悪化します。このパラメータの入力容量を考慮して、さまざまなモデルの MOSFET を置き換える方法を示します。
たとえば、42 インチ LCD TV のバックライト高電圧基板の損傷がある場合、内部の高出力 MOSFET の損傷を確認した後、交換の試作番号がないため、電圧、電流、電力の選択は少なくとも元の MOSFET を交換すると、バックライト チューブに継続的なちらつきが発生し (起動困難)、最終的には元の同じタイプと交換して問題を解決しました。
高出力 MOSFET の損傷が検出された場合、灌流回路の周辺部品の交換も交換する必要があります。MOSFET の損傷は、MOSFET の損傷によって引き起こされる灌流回路部品の不良である可能性もあるためです。たとえMOSFET自体が損傷したとしても、MOSFETが故障した瞬間に灌流回路のコンポーネントも損傷を受けるため、交換する必要があります。
A3 スイッチング電源の修理には多くの賢い修理マスターがいます。スイッチングチューブの故障が判明している限り、同じ理由で 2SC3807 励起チューブの前面も交換されます (ただし、マルチメーターで測定した 2SC3807 チューブは良好です)。
投稿日時: 2024 年 4 月 15 日
