製品情報

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  • MOSFET モデルの相互参照表についてどのくらい知っていますか?

    MOSFET モデルの相互参照表についてどのくらい知っていますか?

    多くの MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) モデルがあり、それぞれに電圧、電流、電力の固有のパラメータがあります。以下は、いくつかの一般的なモデルとその主要なパラメータを含む簡略化された MOSFET モデルの相互参照表です。
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  • nMOSFET と pMOSFET を決定する方法

    nMOSFET と pMOSFET を決定する方法

    NMOSFET と PMOSFET は、いくつかの方法で判断できます。 I. 電流の流れの方向による NMOSFET:電流がソース (S) からドレイン (D) に流れる場合、MOSFET は NMOSFET です。 NMOSFET では...
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  • MOSFETの選び方

    MOSFETの選び方

    適切な MOSFET を選択するには、特定のアプリケーションの要件を確実に満たすために複数のパラメータを考慮する必要があります。 MOSFET を選択するための重要な手順と考慮事項は次のとおりです。 1. ...
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  • MOSFETの進化についてご存知ですか?

    MOSFETの進化についてご存知ですか?

    MOSFET (金属酸化物半導体電界効果トランジスタ) の進化は革新と画期的な進歩に満ちたプロセスであり、その開発は次の重要な段階に要約できます。 I. 早期の合意...
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  • MOSFET回路についてご存知ですか?

    MOSFET回路についてご存知ですか?

    MOSFET 回路は電子機器で一般的に使用されており、MOSFET は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの略です。 MOSFET 回路の設計と応用は幅広い分野に及びます。以下は MOSFET 回路の詳細な分析です。 I. 基本構造...
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  • MOSFETの3極をご存知ですか?

    MOSFETの3極をご存知ですか?

    MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) には、次の 3 つの極があります。 ゲート: G、MOSFET のゲートはバイポーラ トランジスタのベースに相当し、MOSFET の導通とカットオフを制御するために使用されます。 。 MOSFET では、ゲート電圧 (Vgs) が検出されます。
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  • MOSFETの仕組み

    MOSFETの仕組み

    MOSFET の動作原理は、主にその独特の構造特性と電界効果に基づいています。以下に MOSFET の仕組みを詳しく説明します。 I. MOSFET の基本構造 MOSFET は主にゲート (G)、ソース (S)、ドレイン (D) などで構成されます。
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  • どのメーカーのMOSFETが良いですか

    どのメーカーのMOSFETが良いですか

    MOSFET には多くのブランドがあり、それぞれに独自の利点と機能があるため、どのブランドが最適であるかを一般化することは困難です。ただし、市場のフィードバックと技術力に基づいて、MOSFET 分野で優れているブランドの一部を以下に挙げます。
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  • MOSFETの駆動回路をご存知ですか?

    MOSFETの駆動回路をご存知ですか?

    MOSFET ドライバ回路は、パワー エレクトロニクスおよび回路設計の重要な部分であり、MOSFET が適切かつ確実に動作できるようにするための十分な駆動能力を提供する責任があります。以下は、MOSFET ドライバー回路の詳細な分析です。
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  • MOSFETの基本的な理解

    MOSFETの基本的な理解

    MOSFET は、Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor の略で、電界効果を利用して電流の流れを制御する 3 端子半導体デバイスです。以下は MOSFET の基本的な概要です。 1. 定義と分類 - 定義...
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  • IGBTとMOSFETの違い

    IGBTとMOSFETの違い

    IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) と MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) は、パワー エレクトロニクスで広く使用されている 2 つの一般的なパワー半導体デバイスです。どちらもさまざまなアプリケーションに不可欠なコンポーネントですが、次の点で大きく異なります。
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  • MOSFETは完全に制御されていますか?それとも半分制御されていますか?

    MOSFETは完全に制御されていますか?それとも半分制御されていますか?

    MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) は、完全に制御されたデバイスであると考えられることがよくあります。これは、MOSFET の動作状態 (オンまたはオフ) がゲート電圧 (Vgs) によって完全に制御され、例のようにベース電流に依存しないためです。
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