NチャネルMOSFETとPチャネルMOSFETの違い！ MOSFETメーカーをより適切に選択するのに役立ちます。

回路設計者は MOSFET を選択するときに、P チャネル MOSFET と N チャネル MOSFET のどちらを選択すべきかという質問を考慮したはずです。メーカーとしては、自社の製品を他の販売者とより低価格で競争させる必要があり、繰り返し比較する必要もあります。では、どうやって選べばいいのでしょうか？ 20年の経験を持つMOSFETメーカーであるOLUKEYが皆様にお伝えしたいと思います。

違い1：伝導特性

NチャネルMOSは、Vgsが一定値以上になるとオンする特性があります。ゲート電圧が4Vまたは10Vに達する限り、ソースが接地されている場合(ローエンド駆動)の使用に適しています。 PチャネルMOSの特性としては、Vgsが一定値以下でオンする特性があり、ソースをVCCに接続する場合（ハイエンド駆動）に適しています。

違い2:MOSFETスイッチング損失

NチャネルMOSでもPチャネルMOSでも、オンした後はオン抵抗が存在するため、電流はこの抵抗にエネルギーを消費します。消費されるエネルギーのこの部分は、伝導損失と呼ばれます。オン抵抗の小さい MOSFET を選択すると導通損失が低減されます。現在の低消費電力 MOSFET のオン抵抗は一般に数十ミリオーム程度であり、数ミリオームのものもあります。また、MOS の ON/OFF は瞬時に完了してはなりません。流れる電流には減少過程もあれば増加過程もある。

この期間中の MOSFET の損失は電圧と電流の積であり、スイッチング損失と呼ばれます。通常、スイッチング損失は導通損失よりもはるかに大きく、スイッチング周波数が高くなるほど損失も大きくなります。通電時の電圧と電流の積は非常に大きく、発生する損失も非常に大きいため、スイッチング時間を短くすることで各通電時の損失を低減できます。スイッチング周波数を下げると、単位時間あたりのスイッチ数を減らすことができます。

違い 3: MOSFET の使用

P チャネル MOSFET の正孔移動度は低いため、MOSFET の幾何学的サイズと動作電圧の絶対値が等しい場合、P チャネル MOSFET の相互コンダクタンスは N チャネル MOSFET の相互コンダクタンスより小さくなります。さらに、P チャネル MOSFET のしきい値電圧の絶対値は比較的高いため、より高い動作電圧が必要になります。 P チャネル MOS は、論理振幅が大きく、充放電プロセスが長く、デバイスの相互コンダクタンスが小さいため、動作速度が遅くなります。 N チャネル MOSFET の出現後、そのほとんどは N チャネル MOSFET に置き換えられました。しかし、PチャネルMOSFETはプロセスが簡単で安価であるため、中小規模のデジタル制御回路の一部には今でもPMOS回路技術が使用されています。

さて、パッケージング MOSFET メーカーである OLUKEY からの本日の共有は以上です。詳細については、次のサイトをご覧ください。オルキー公式ウェブサイト。 OLUKEY は 20 年間にわたって MOSFET に注力しており、本社は中国の広東省深センにあります。主に大電流電界効果トランジスタ、高出力MOSFET、大型パッケージMOSFET、小電圧MOSFET、小型パッケージMOSFET、小電流MOSFET、MOS電界効果管、パッケージMOSFET、パワーMOS、MOSFETパッケージ、オリジナルMOSFET、パッケージMOSFETなどに従事. 主な代理店商品はWINSOKです。