WSD4098 デュアル N チャネル 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
概要
WSD4098DN56 は、極めて高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ デュアル N-Ch MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。 WSD4098DN56 は、RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能の信頼性が承認され、100% EAS 保証されています。
特徴
高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れた CdV/dt 効果低下、100% EAS 保証、グリーン デバイスが利用可能
アプリケーション
高周波ポイントオブロード同期、MB/NB/UMPC/VGA 用降圧コンバータ、ネットワーキング DC-DC 電源システム、負荷スイッチ、電子タバコ、ワイヤレス充電、モーター、ドローン、医療、カーチャージャー、コントローラー、デジタル製品、小型家電製品、家電製品。
対応する材質番号
AOS AON6884
重要なパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | ユニット | |
| 共通の評価 | ||||
| VDSS | ドレイン・ソース間電圧 | 40 | V | |
| VGSS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V | |
| TJ | 最大接合部温度 | 150 | ℃ | |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55～150 | ℃ | |
| IS | ダイオード連続順電流 | TA=25℃ | 11.4 | A |
| ID | 連続ドレイン電流 | TA=25℃ | 22 | A |
| TA=70℃ | 22 | |||
| DMします | パルスドレイン電流のテスト済み | TA=25℃ | 88 | A |
| PD | 最大消費電力 | 温度=25℃ | 25 | W |
| TC=70℃ | 10 | |||
| RqJL | 熱抵抗 - 接合部からリードまで | 定常状態 | 5 | ℃/W |
| RqJA | 熱抵抗 - 接合部から周囲まで | 10ポンド | 45 | ℃/W |
| 定常状態 b | 90 | |||
| 私はd | アバランシェ電流、シングルパルス | L=0.5mH | 28 | A |
| EASd | アバランシェエネルギー、シングルパルス | L=0.5mH | 39.2 | mJ |
| シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット | |
| 静特性 | |||||||
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
| IDSS | ゼロゲート電圧ドレイン電流 | VDS=32V、VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85℃ | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VDS=VGS、IDS=250mA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| IGSS | ゲートリーク電流 | VGS=±20V、VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| RDS(ON) e | ドレイン・ソース間のオン状態抵抗 | VGS=10V、IDS=14A | - | 6.8 | 7.8 | mW | |
| VGS=4.5V、IDS=12A | - | 9.0 | 11 | ||||
| ダイオードの特性 | |||||||
| VSDe | ダイオード順電圧 | ISD=1A、VGS=0V | - | 0.75 | 1.1 | V | |
| てら | 逆回復時間 | ISD=20A、dlSD /dt=100A/μs | - | 23 | - | ns | |
| Qrr | 逆回復チャージ | - | 13 | - | nC | ||
| 動特性 f | |||||||
| RG | ゲート抵抗 | VGS=0V、VDS=0V、F=1MHz | - | 2.5 | - | W | |
| シス | 入力容量 | VGS=0V、 VDS=20V、 周波数=1.0MHz | - | 1370 | 1781年 | pF | |
| コス | 出力容量 | - | 317 | - | |||
| クロス | 逆伝達容量 | - | 96 | - | |||
| td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD = 20V、 RL=20W、IDS=1A、 VGEN=10V、RG=6W | - | 13.8 | - | ns | |
| tr | ターンオン立ち上がり時間 | - | 8 | - | |||
| td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | - | 30 | - | |||
| tf | ターンオフ立ち下がり時間 | - | 21 | - | |||
| ゲートチャージ特性 f | |||||||
| Qg | 総ゲート電荷量 | VDS=20V、VGS=10V、IDS=6A | - | 23 | 28 | nC | |
| Qg | 総ゲート電荷量 | VDS=20V、VGS=4.5V、IDS=6A | - | 22 | - | ||
| Qgth | 閾値ゲート電荷 | - | 2.6 | - | |||
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | - | 4.7 | - | |||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | - | 3 | - | |||
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